Motorola Semiconductor Products IRF840

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Type of module

IGBT

Semiconductor structure

transistor/transistor

Max. off-state voltage

1.2kV

Collector current

150A

Case

SEMITRANS2

Electrical mounting

FASTON connectors,

Gate-emitter voltage

±20V

Pulsed collector current

300A

Mechanical mounting

screw

Gross weight

160 g

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Package Description

TO-220AB, 3 PIN

Drain Current-Max (ID)

8 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Turn-off Time-Max (toff)

120 ns

Turn-on Time-Max (ton)

50 ns

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

附加功能

可提供引线框架选项

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

拓扑

IGBT half-bridge

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.85 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

125 W

第二个连接器加载的位置数

for UPS,

反馈上限-最大值 (Crss)

150 pF

环境耗散-最大值

125 W