Motorola Semiconductor Products IRFD223
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IRFD223
1668-IRFD223
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1最小包装量--
IRFD223详情
Motorola Semiconductor Products IRFD223重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MOTOROLA INC
Drain Current-Max (ID)
0.7 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
1.2 Ω
DS 击穿电压-最小值
150 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1 W
反馈上限-最大值 (Crss)
80 pF
环境耗散-最大值
1 W
IRFD223拓展信息
Motorola Semiconductor Products
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Motorola Mobility LLC
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