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Motorola Semiconductor Products MRF21120R6

Name: MRF21120R6
Brand: Motorola Semiconductor Products
SKU: 1668-MRF21120R6
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MRF21120R6

品牌

Motorola Semiconductor Products

utmel 编号

1668-MRF21120R6

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, NI-1230, CASE 375D-04, 4 PIN

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MRF21120R6 Motorola Semiconductor Products Description: RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, NI-1230, CASE 375D-04, 4 PIN

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MRF21120R6详情

技术参数

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Motorola Semiconductor Products MRF21120R6重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

4
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

有
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC
Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Number of Elements

2
Operating Temperature-Max

200 °C
Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
ECCN 代码

EAR99
端子位置

DUAL
终端形式

FLAT
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-CDFM-F4
资历状况

不合格
配置

COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

SOURCE
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值

65 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

389 W
最高频段

S带

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MRF21120R6拓展信息

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