Murata Electronics 02NF

工厂交货时间

8 Weeks

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTMFD4902NFT1G

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Part Package Code

DFN

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8

Manufacturer Package Code

506BX

Risk Rank

1.47

Drain Current-Max (ID)

13.5 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

2

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F8

Brand Name

安森美半导体

配置

SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

排水源头

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

23 A

漏极-源极导通最大电阻

0.01 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

28.8 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

3.45 W