Murata Electronics 03N

工厂交货时间

10 Weeks

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Number of Elements

1

Moisture Sensitivity Levels

1

Drain Current-Max (ID)

0.68 A

Samacsys Description

FDV303N N-Channel MOSFET, 680 mA, 25 V, 3-Pin SOT-23 ON Semiconductor

Risk Rank

0.96

Manufacturer Package Code

318-08

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Part Life Cycle Code

活跃

Manufacturer Part Number

FDV303N

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.68 A

漏极-源极导通最大电阻

0.45 Ω

DS 击穿电压-最小值

25 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.35 W