Murata Electronics 05N

工厂交货时间

10 Weeks

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

FDC6305N

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

Manufacturer Package Code

419BL

Risk Rank

0.99

Samacsys Description

FDC6305N, Dual N-channel MOSFET Transistor, 2.7A 20V, 6-Pin SuperSOT

Drain Current-Max (ID)

2.7 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

2

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.7 A

漏极-源极导通最大电阻

0.08 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.96 W