NT5DS32M8BT-75B详情
Nanya NT5DS32M8BT-75B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
Axial
表面安装
YES
终端数量
66
Lead Free Status / RoHS Status
--
Voltage Rated
15V
Lifetime @ Temp.
--
Package Description
TSOP2, TSSOP66,.46
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
32000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP66,.46
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.75 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
NT5DS32M8BT-75B
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Number of Words
33554432 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
TSOP2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Nanya Technology Corporation
Part Package Code
TSOP2
Risk Rank
5.81
Ihs Manufacturer
NANYA TECHNOLOGY CORP
Part Life Cycle Code
Obsolete
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
Military, MIL-PRF-39003/9, CSR21
包装
Tape & Reel (TR)
尺寸/尺寸
0.289 Dia x 0.686 L (7.34mm x 17.42mm)
容差
±20%
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
--
ECCN 代码
EAR99
类型
密封
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
电容量
68µF
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
引脚数量
66
JESD-30代码
R-PDSO-G66
资历状况
不合格
ESR(等效串联电阻)
95 mOhm
失败率
P (0.1%)
引线间距
--
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
电源
2.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
制造商的尺寸代码
C
电源电流-最大值
0.25 mA
组织结构
32MX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.018 A
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
访问模式
四库页面突发
特征
Military
自我刷新
YES
座位高度(最大)
--
宽度
10.16 mm
长度
22.22 mm
达到SVHC
unknown
NT5DS32M8BT-75B拓展信息








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