National Semiconductor 93479ADMQB

表面安装

NO

终端数量

22

Package Description

DIP, DIP22,.4

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

256

Package Body Material

CERAMIC, GLASS-SEALED

Package Equivalence Code

DIP22,.4

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

45 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

93479ADMQB

Usage Level

Military grade

Part Package Code

DIP

Risk Rank

5.9

Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

Texas

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

DIP

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Number of Words

256 words

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

3A001.A.2.C

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

TTL

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

22

JESD-30代码

R-GDIP-T22

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.2 mA

组织结构

256X9

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.715 mm

内存宽度

9

记忆密度

2304 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

输出启用

YES

宽度

10.16 mm