National Semiconductor CLC5632IMX
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CLC5632IMX
1704-CLC5632IMX
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IC Buffer Dual Progr Gain 8-SOIC
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CLC5632IMX详情
National Semiconductor CLC5632IMX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
引脚数
8
终端数量
8
RoHS
Non-Compliant
Package Description
SOP, SOP8,.25
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOP8,.25
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Slew Rate-Nom
290 V/us
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CLC5632IMX
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
SOP
Package Shape
RECTANGULAR
Bandwidth (3dB)-Nom
90 MHz
Manufacturer
Texas
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.21
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.33.00.01
子类别
缓冲放大器
技术
BIPOLAR
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
2
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
电源
5/+-5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电流-最大值
8 mA
放大器类型
BUFFER
座位高度-最大
1.75 mm
平均偏置电流-最大值 (IIB)
24 µA
电源电压限制-最大值
14 V
最大偏置电流 (IIB) @25C
18 µA
输入失调电压-最大值
35000 µV
压摆率-Min
140 V/us
输出电流-最小值
0.04 A
宽度
3.9 mm
长度
4.9 mm
无铅
含铅
CLC5632IMX拓展信息







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