National Semiconductor CSD16415Q5T

工厂交货时间

6 Weeks

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

VSON-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CSD16415Q5T

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Texas

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

Texas INC

Risk Rank

1.47

Drain Current-Max (ID)

38 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PDSO-N5

Brand Name

Texas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0018 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

230 pF