National Semiconductor DM54S573J

表面安装

NO

终端数量

18

RoHS

Non-Compliant

Package Description

DIP, DIP18,.3

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

1000

Package Body Material

CERAMIC, GLASS-SEALED

Package Equivalence Code

DIP18,.3

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

75 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

DM54S573J

Number of Words

1024 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

National Semiconductor Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.87

包装

Tape & Reel (TR)

容差

0.1 %

JESD-609代码

e0

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

25 ppm/°C

电阻

4.7 kΩ

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

组成

Metal Film

HTS代码

8542.32.00.71

子类别

OTP ROM

额定功率

100 mW

最大功率耗散

100 mW

技术

BIPOLAR

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-GDIP-T18

资历状况

不合格

失败率

0.001 %

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.14 mA

组织结构

1KX4

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.08 mm

内存宽度

4

记忆密度

4096 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

OTP ROM

特征

Military, Moisture Resistant, Weldable

宽度

1.78 mm

长度

3.81 mm

无铅

含铅