National Semiconductor MM2102AN-L

底架

表面贴装

表面安装

NO

终端数量

16

Voltage, Rating

25 V

RoHS

Compliant

Package Description

DIP, DIP16,.3

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

1000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP16,.3

Access Time-Max

350 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MM2102AN-L

Number of Words

1024 words

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

National Semiconductor Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

8.74

包装

Tape & Reel (TR)

容差

2 %

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

电容量

270 pF

子类别

SRAMs

技术

MOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDIP-T16

资历状况

不合格

温度等级

COMMERCIAL

操作模式

ASYNCHRONOUS

组织结构

1KX1

输出特性

3-STATE

内存宽度

1

记忆密度

1024 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

SEPARATE

内存IC类型

标准SRAM

宽度

1.2446 mm

长度

2.0066 mm

器件厚度

1.4478 mm