National Semiconductor MM5257N25

表面安装

NO

终端数量

18

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

4000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP18,.3

Access Time-Max

250 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MM5257N25

Number of Words

4096 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

National Semiconductor Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.92

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

SRAMs

技术

MOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

端子间距

2.54 mm

JESD-30代码

R-PDIP-T18

资历状况

不合格

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.09 mA

组织结构

4KX1

输出特性

3-STATE

内存宽度

1

记忆密度

4096 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

SEPARATE

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

1.5 V

达到SVHC

compliant