National Semiconductor NE3508M04-T2-A
- 收藏
- 对比
NE3508M04-T2-A
1704-NE3508M04-T2-A
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
--
大陆
立即发货

Small Signal GaAs FETs L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
1最小包装量--
NE3508M04-T2-A详情
National Semiconductor NE3508M04-T2-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
NE3508M04-T2-A
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
NEC Electronics Group
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NEC ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.3
Drain Current-Max (ID)
0.03 A
JESD-609代码
e6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铋
附加功能
低噪音
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
3 V
场效应管技术
HETERO-JUNCTION
最高频段
S带
功率增益-最小值(Gp)
12 dB
NE3508M04-T2-A拓展信息







哦! 它是空的。