National Semiconductor NM27LC512N200
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NM27LC512N200
1704-NM27LC512N200
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IC 64K X 8 OTPROM, 200 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28, Programmable ROM
1最小包装量--
NM27LC512N200详情
National Semiconductor NM27LC512N200重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
28
RoHS
Non-Compliant
Package Description
DIP, DIP28,.6
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
64000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
DIP28,.6
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
200 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
NM27LC512N200
Number of Words
65536 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
National Semiconductor Corporation
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.4
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.71
子类别
OTP ROM
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDIP-T28
资历状况
不合格
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.015 mA
组织结构
64KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
5.334 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.0001 A
记忆密度
524288 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
OTP ROM
电压 - 供电 (最大值)
5.5 V
电压 - 供电 (最小值)
4.5 V
宽度
15.24 mm
长度
35.725 mm
NM27LC512N200拓展信息
National Semiconductor
National Semiconductor
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