National Semiconductor NM29N16R
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NM29N16R
1704-NM29N16R
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IC 2M X 8 FLASH 5V PROM, 48 ns, PDSO40, 0.400 INCH, EIAJ, REVERSE, TSOP2-44/40, Programmable ROM
1最小包装量--
NM29N16R详情
National Semiconductor NM29N16R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
40
Package Description
TSOP2-R, TSOP40/44,.46,32
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
2000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSOP40/44,.46,32
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
48 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
NM29N16R
Number of Words
2097152 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
TSOP2-R
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
National Semiconductor Corporation
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.91
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
100K WRITE/ERASE ENDURANCE MIN.
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G40
资历状况
不合格
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.07 mA
组织结构
2MX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.0001 A
记忆密度
16777216 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
5 V
耐力
100000 Write/Erase Cycles
数据轮询
NO
拨动位
NO
电压 - 供电 (最大值)
5.25 V
电压 - 供电 (最小值)
4.75 V
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
512
行业规模
4K
页面尺寸
256 words
准备就绪/忙碌
YES
反向引脚排列
YES
宽度
10.16 mm
长度
18.41 mm
NM29N16R拓展信息
National Semiconductor
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