National Semiconductor NMC2116N25L

安装类型

通孔

包装/外壳

8-DIP (0.300, 7.62mm)

表面安装

NO

供应商器件包装

8-PDIP

终端数量

24

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

2000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP24,.6

Access Time-Max

250 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NMC2116N25L

Number of Words

2048 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

National Semiconductor Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.92

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

--

包装

Tube

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

类型

Simple Reset/Power-On Reset

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

SRAMs

技术

MOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

端子间距

2.54 mm

基本部件号

X5649

输出量

开路漏极或开路集电极

JESD-30代码

R-PDIP-T24

资历状况

不合格

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.07 mA

重置

高电平

电压 - 阈值

2.63V

监测的电压数量

1

重置超时

100 ms Minimum

组织结构

2KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

记忆密度

16384 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

达到SVHC

compliant