National Semiconductor NMC2147HJ-3

表面安装

NO

终端数量

18

Package Description

DIP, DIP18,.3

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

4000

Package Body Material

CERAMIC, GLASS-SEALED

Package Equivalence Code

DIP18,.3

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NMC2147HJ-3

Number of Words

4096 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

National Semiconductor Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.67

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

NMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-GDIP-T18

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.18 mA

组织结构

4KX1

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.08 mm

内存宽度

1

记忆密度

4096 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

SEPARATE

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

输出启用

NO

宽度

7.62 mm