National Semiconductor NMC6504J2/883C

安装类型

表面贴装

包装/外壳

16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)

表面安装

NO

供应商器件包装

16-SOIC

终端数量

18

Package

Tube

Base Product Number

W25Q64

厂商

Winbond Electronics

Product Status

Obsolete

Memory Types

Non-Volatile

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

4000

Package Body Material

CERAMIC

Package Equivalence Code

DIP18,.3

Operating Temperature-Min

-55 °C

Access Time-Max

320 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NMC6504J2/883C

Number of Words

4096 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

National Semiconductor Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.92

Usage Level

Military grade

操作温度

-40°C ~ 105°C (TA)

系列

SpiFlash®

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

SRAMs

技术

FLASH - NOR

电压 - 供电

2.7V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XDIP-T18

资历状况

不合格

电源

5 V

温度等级

MILITARY

内存大小

64Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

时钟频率

104 MHz

访问时间

7 ns

内存格式

FLASH

内存接口

SPI - Quad I/O, QPI

组织结构

4KX1

输出特性

3-STATE

内存宽度

1

写入周期时间 - 字符、页面

50µs, 3ms

待机电流-最大值

0.000025 A

记忆密度

4096 bit

筛选水平

MIL-STD-883 Class C

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

SEPARATE

内存IC类型

标准SRAM

组织的记忆

8M x 8