National Semiconductor NMC9313BN

表面安装

NO

终端数量

8

Clock Frequency-Max (fCLK)

0.2 MHz

Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

Manufacturer

National Semiconductor Corporation

Manufacturer Part Number

NMC9313BN

Number of Words

16 words

Number of Words Code

16

Operating Temperature-Max

70 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Code

DIP

Package Description

DIP, DIP8,.3

Package Equivalence Code

DIP8,.3

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Part Life Cycle Code

Obsolete

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

5.9

Rohs Code

无

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.51

子类别

EEPROMs

技术

NMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDIP-T8

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.015 mA

组织结构

16X16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.08 mm

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.003 A

记忆密度

256 bit

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

串行总线类型

MICROWIRE

耐力

10000 Write/Erase Cycles

写入周期时间 - 最大值

30 ms

数据保持时间

10

写入保护

SOFTWARE

长度

9.817 mm

宽度

7.62 mm