NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP 2N7002/D87Z

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-236AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.115A

漏极-源极导通最大电阻

7.5Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF