NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP DM5426J

表面安装

NO

终端数量

14

Operating Temperature (Min.)

-55°C

Operating Temperature (Max.)

125°C

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

TPLH=24NS @ RL=1000 OHMS

HTS代码

8542.39.00.01

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

4

电源电压

5V

端子间距

2.54mm

JESD-30代码

R-GDIP-T14

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5V

电源

5V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5V

负载电容

15pF

家人

TTL/H/L

输入数量

2

输出特性

OPEN-COLLECTOR

座位高度-最大

5.08mm

逻辑IC类型

NAND GATE

最大 I(ol)

0.016 A

Prop. Delay@Nom-Sup

24 ns

传播延迟(tpd)

24 ns

施密特触发器

NO

电源电流-最大值(ICC)

22mA

宽度

7.62mm

长度

19.43mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant