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NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP NDH8501N
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NDH8501N
1704-NDH8501N
无类别的
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大陆
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NDH8501N详情
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP NDH8501N重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.8A
漏极-源极导通最大电阻
0.07Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
NDH8501N拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。