NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP NDS9955

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

150°C

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏极-源极导通最大电阻

0.13Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10A

DS 击穿电压-最小值

50V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2W

关断时间-最大值（toff)

120ns

接通时间-最大值(ton)

40ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant