NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP NDT451N

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-261

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.05Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

25A

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

3W

关断时间-最大值（toff)

70ns

接通时间-最大值(ton)

55ns

环境耗散-最大值

1.1W

RoHS状态

Non-RoHS Compliant