NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP NMC6504J9

表面安装

NO

终端数量

18

Operating Temperature (Max.)

85°C

Operating Temperature (Min.)

-40°C

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

电源电压

5V

端子间距

2.54mm

JESD-30代码

R-XDIP-T18

资历状况

不合格

电源

5V

温度等级

INDUSTRIAL

操作模式

ASYNCHRONOUS

组织结构

4KX1

输出特性

3-STATE

内存宽度

1

待机电流-最大值

0.000025A

记忆密度

4096 bit

访问时间（最大）

320 ns

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

SEPARATE

内存IC类型

标准SRAM

RoHS状态

Non-RoHS Compliant