National Semiconductor Corporation BCP55

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Breakdown voltage

230 V

Impulse discharge current (8/20 µs impulse)

10 kA

Discharge current for AC voltage 50 Hz (1s)

10 A

Operational resources

100A/300 times

Maximum capacitance

at 1MHz - 1.5mkf

Gross weight

2.23

Transport packaging size/quantity

31.5*29*27.2/2000

Operating temperature

-40…90°C

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

类型

N81

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

Insulation resistance

1 GOhm min

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

设计

lead-out

最大耗散功率(Abs)

1.5 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

40

环境耗散-最大值

1.5 W

触点

2-electrode

长度

6 mm

直径

8 mm