National Semiconductor Corporation MMBF5485
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MMBF5485
1704-MMBF5485
晶体管 - 特殊用途
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-236AB
1最小包装量--
MMBF5485详情
National Semiconductor Corporation MMBF5485重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Transport Packaging size/quantity
37.5*24*30/1000
Maximum Current
20 A
Noal Voltage
12 Vmin
Mounting Hole Size
Ф11.2 + Ф5 mm
Switching Scheme
ON-(OFF), SPST, non-locking
Dielectric Strength
1500 V
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Service Life
at least 10000 switches
Gross Weight
7.65
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
类型
Pushbutton switch ASW series C with pusher
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
深度
total 37.5 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
触点电阻
50 mΩ max
配置
SINGLE
绝缘电阻
≥100 (at Uisol.dc=500 V) MΩ
操作模式
DEPLETION MODE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
工作温度范围
-25...+85
JEDEC-95代码
TO-236AB
场效应管技术
JUNCTION
最大耗散功率(Abs)
0.35 W
反馈上限-最大值 (Crss)
1 pF
最高频段
超高频段
功率增益-最小值(Gp)
10 dB
高度
35 mm
宽度
16.4 mm
直径
pusher - 14 mm
MMBF5485拓展信息
National Semiconductor Corporation
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