National Semiconductor Corporation MMBFJ176
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MMBFJ176
1704-MMBFJ176
晶体管 - 特殊用途
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236AB
1最小包装量--
MMBFJ176详情
National Semiconductor Corporation MMBFJ176重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
Terminals (faston)
表面安装
YES
质量
19 g
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Maximum Forward Current
25 A
Voltage Drop
1.2 V
Surge Forward Current
300 A
Gross Weight
20.10
Transport Packaging size/quantity
42*23*24/500
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
类型
KBPC Series Diode Bridge
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
深度
28
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
工作温度范围
-55…+125°C
JEDEC-95代码
TO-236AB
场效应管技术
JUNCTION
最大耗散功率(Abs)
0.35 W
重复峰值反向电压
1200 V
反馈上限-最大值 (Crss)
5.5 pF
高度
11
宽度
28
MMBFJ176拓展信息
National Semiconductor Corporation
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