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National Semiconductor Corporation NDB706B

Name: NDB706B
Brand: National Semiconductor Corporation
SKU: 1704-NDB706B
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NDB706B

品牌

National Semiconductor Corporation

utmel 编号

1704-NDB706B

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: TRANSISTOR 70 A, 60 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, FET General Purpose Power

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NDB706B National Semiconductor Corporation Description: TRANSISTOR 70 A, 60 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, FET General Purpose Power

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NDB706B详情

技术参数

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National Semiconductor Corporation NDB706B重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)

70 A
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

175 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
Turn-off Time-Max (toff)

280 ns
Turn-on Time-Max (ton)

430 ns
ECCN 代码

EAR99
HTS代码

8541.29.00.95
端子位置

SINGLE
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PSSO-G2
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻

0.018 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

210 A
DS 击穿电压-最小值

60 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)

800 pF
环境耗散-最大值

150 W

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NDB706B拓展信息

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