National Semiconductor Corporation NDS331N
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NDS331N
1704-NDS331N
晶体管 - 特殊用途
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Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
1最小包装量--
NDS331N详情
National Semiconductor Corporation NDS331N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
Drain Current-Max (ID)
1.3 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236AB
漏极-源极导通最大电阻
0.16 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.5 W
环境耗散-最大值
0.46 W
NDS331N拓展信息
National Semiconductor Corporation
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