NEC 02N06C

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTBGS002N06C

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6

Risk Rank

5.76

Drain Current-Max (ID)

252 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263CB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

252 A

漏极-源极导通最大电阻

0.002 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

242 W

反馈上限-最大值 (Crss)

26 pF