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NEC 2SK193
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2SK193
1712-2SK193
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
--
大陆
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET,
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2SK193详情
NEC 2SK193重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
125 °C
Manufacturer Part Number
2SK193
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
NEC Electronics America Inc
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NEC ELECTRONICS AMERICA INC
Risk Rank
5.82
Drain Current-Max (ID)
0.01 A
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
场效应管技术
JUNCTION
反馈上限-最大值 (Crss)
0.25 pF
最高频段
甚高频段
功率增益-最小值(Gp)
13 dB
2SK193拓展信息
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