2SK612-Z-T1详情
NEC 2SK612-Z-T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
50 V
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NEC ELECTRONICS AMERICA INC
Risk Rank
5.82
Drain Current-Max (ID)
2 A
Number of Elements
1
Manufacturer
NEC Electronics America Inc
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
2SK612-Z-T1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Style
小概要
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
容差
0.5 %
温度系数
50 ppm/°C
电阻
13.7 kΩ
最高工作温度
155 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Thin Film
附加功能
逻辑电平兼容
额定功率
100 mW
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.45 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
8 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
环境耗散-最大值
20 W
高度
550 µm
达到SVHC
unknown
2SK612-Z-T1拓展信息








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