NEC 3SK205

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

砷化镓

Manufacturer Part Number

3SK205

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.84

Drain Current-Max (ID)

80 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

125 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

ROUND

Package Style

磁盘按钮

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-PRDB-F4

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

80 A

DS 击穿电压-最小值

10 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

0.035 pF

最高频段

超高频段

环境耗散-最大值

0.2 W

功率增益-最小值(Gp)

16 dB