NE325S01-T1详情
NEC NE325S01-T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NE325S01-T1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
Package Description
DISK BUTTON, O-PRDB-G4
Risk Rank
5.83
Drain Current-Max (ID)
0.02 A
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
ROUND
Package Style
磁盘按钮
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
RADIAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-PRDB-G4
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
3 V
场效应管技术
HETERO-JUNCTION
最高频段
Ku波段
功率增益-最小值(Gp)
11 dB
NE325S01-T1拓展信息
NEC
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