NEC NE68119T1

底架

表面贴装

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

10 V

Voltage Rating (DC)

10 V

RoHS

Non-Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

7000 MHz

Manufacturer Part Number

NE68119-T1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

California Eastern Laboratories (CEL)

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES

Risk Rank

5.38

包装

切割胶带

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

100 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

额定电流

65 mA

频率

7 GHz

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率耗散

100 mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

最大集电极电流

65 mA

增益

14 dB

最高频率

7 GHz

转换频率

7 GHz

最大击穿电压

10 V

集电极基极电压(VCBO)

20 V

发射极基极电压 (VEBO)

1.5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.065 A

最小直流增益（hFE）

80

连续集电极电流

65 mA

集电极-发射器电压-最大值

10 V

最高频段

L带

集电极-基极电容-最大值

0.9 pF

无铅

含铅