NE68133T1BA
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NEC NE68133T1BA

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型号

NE68133T1BA

品牌

NEC

utmel 编号

1712-NE68133T1BA

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 射频

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor NPN 1GHZ SOT-23

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NE68133T1BA
NE68133T1BA NEC Transistor NPN 1GHZ SOT-23

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NE68133T1BA详情

NEC NE68133T1BA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • 材料

    Nylon 6/6

  • MaxPanel Thickness (mm)

    4.0

  • Head Dia (mm)

    10,7

  • Locking Step

    PRYOUT

  • Overall Height (mm)

    8,3

  • Mounting Hole Dia. (in)

    0.250

  • Mounting Hole Dia. (mm)

    6,4

  • Alternate PN

    POP 250

  • Overall Height (in)

    0.33

  • Note-1

    用于管道和卡套管末端的POP卡箍

  • UL

    Recognized File E51579

  • CSA

    File 8919

  • MaxPanel Thickness (in)

    0.156

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    10 V

  • Number of Elements

    1

  • Voltage Rating (DC)

    10 V

  • RoHS

    Compliant

  • 包装

    卷带

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    200 mW

  • 额定电流

    65 mA

  • 频率

    9 GHz

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    200 mW

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    10 V

  • 最大集电极电流

    65 mA

  • 温度范围

    -40C to +105C

  • 增益

    13 dB

  • 转换频率

    9 GHz

  • 最大击穿电压

    10 V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    20 V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    1.5 V

  • 连续集电极电流

    65 mA

  • 可燃性等级

    94V-2

  • 无铅

    无铅

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NE68133T1BA拓展信息

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