NEC NE85630-T1

表面安装

YES

底架

表面贴装

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NE85630-T1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Risk Rank

5.39

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Transition Frequency-Nom (fT)

4500 MHz

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12 V

Voltage Rating (DC)

12 V

RoHS

Non-Compliant

包装

切割胶带

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

150 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

额定电流

100 mA

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

最大集电极电流

100 mA

增益

12 dB

转换频率

4.5 GHz

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

12 V

最高频段

L带

集电极-基极电容-最大值

1.5 pF

无铅

含铅