NP22N055IHE详情
NEC NP22N055IHE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Cylinder
表面安装
YES
供应商器件包装
-
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Box
厂商
Amphenol SSI Technologies
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
NP22N055IHE
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
NEC Electronics Group
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NEC ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.83
Part Package Code
TO-252
Drain Current-Max (ID)
22 A
操作温度
-40°C ~ 105°C
系列
MediaSensor™
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
应用
工业自动化
HTS代码
8541.29.00.95
电压 - 供电
5V
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
输出量
0.5 V ~ 4.5 V
引脚数量
4
终端样式
Deutsch, 3 Pin
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
输出类型
Analog Voltage
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
准确性
±0.5%
晶体管应用
SWITCHING
工作压力
3000PSI (20684.27kPa)
压力类型
密封压力表
端口样式
Threaded
极性/通道类型
N-CHANNEL
端口尺寸
Male - 9/16 (14.29mm) UNF
JEDEC-95代码
TO-252
漏极-源极导通最大电阻
0.039 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
55 A
最大压力
-
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
25 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
Amplified Output, Temperature Compensated
NP22N055IHE拓展信息








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