NEC NP82N04PUG

安装类型

通孔

表面安装

YES

触点形状

Square

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

--

Mated Stacking Heights

--

Contact Materials

Copper Alloy

Contact Finish Mating

Gold

Insulation Materials

Thermoplastic

Contact Length-Mating

0.320 (8.13mm)

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NP82N04PUG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.18

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

82 A

操作温度

--

系列

AMPMODU Mod II

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

终端

Press-Fit, Solder

ECCN 代码

EAR99

连接器类型

Header

定位的数量

40

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

--

行数

2

HTS代码

8541.29.00.95

紧固类型

棘爪锁

子类别

FET 通用电源

触点类型

公母针

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

入口保护

--

绝缘高度

0.440 (11.18mm)

样式

板对板或电缆

已加载定位数量

All

Reach合规守则

unknown

额定电流

--

间距 - 配套

0.100 (2.54mm)

绝缘颜色

Black

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

行间距-交配

0.100 (2.54mm)

触点长度 - 柱子

0.250 (6.35mm)

护罩,护罩

Shrouded - 4 Wall

触点表面处理 - 柱子

Tin-Lead

接触总长度

0.660 (16.76mm)

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

82 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0035 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

328 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

288 W

特征

--

触点表面处理厚度 - 配套

30.0µin (0.76µm)

触点表面处理厚度 - 柱子

100.0µin (2.54µm)

材料可燃性等级

--