NEC NP88N04KHE-E2-AY

安装类型

Surface Mount, MLCC

包装/外壳

1206 (3216 Metric)

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

Vishay Vitramon

Product Status

Obsolete

Voltage Rated

100V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NP88N04KHE-E2-AY

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.27

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

88 A

操作温度

-55°C ~ 150°C

系列

GA

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.063 W (3.20mm x 1.60mm)

容差

±0.5pF

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

温度系数

C0G, NP0

端子表面处理

哑光锡

应用

汽车

HTS代码

8541.29.00.95

电容量

1.5 pF

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

失败率

-

引线间距

-

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

引线样式

-

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

88 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0043 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

352 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

562 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

288 W

特征

高温

座位高度(最大)

-

厚度（最大）

0.067 (1.70mm)

评级结果

AEC-Q200