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NEC UPA1911TE

Name: UPA1911TE
Brand: NEC
SKU: 1712-UPA1911TE
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

UPA1911TE

品牌

NEC

utmel 编号

1712-UPA1911TE

商品类别

无类别的

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIMOLD PACKAGE-6

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UPA1911TE NEC Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIMOLD PACKAGE-6

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UPA1911TE详情

技术参数

NEC UPA1911TE重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

6
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Package Style

小概要
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Operating Temperature-Max

150 °C
Rohs Code

无
Manufacturer Part Number

UPA1911TE
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Renesas Electronics Corporation
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank

5.34
Drain Current-Max (ID)

2.5 A
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码

8541.21.00.95
子类别

其他晶体管
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

unknown
引脚数量

6
JESD-30代码

R-PDSO-G6
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.5 A
漏极-源极导通最大电阻

0.12 Ω
DS 击穿电压-最小值

20 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

2 W

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UPA1911TE拓展信息

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