NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES LTD 3SK222-V21

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

JESD-609代码

e0

端子表面处理

锡铅

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

DUAL GATE, DEPLETION MODE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.025A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

0.03 pF

最高频段

极高频率 b

功率增益-最小值(Gp)

21dB

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

达到SVHC

compliant