NEC ELECTRONICS AMERICA INC BN1A4M

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

附加功能

BUILT IN BAIS RESISTOR RATIO IS 1

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

集电极电流-最大值(IC)

0.1A

最小直流增益（hFE）

80

集电极-发射器电压-最大值

50V

关断时间-最大值（toff)

5000ns

接通时间-最大值(ton)

500ns