NEC ELECTRONICS AMERICA INC NESG2101M16-T3-A
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NESG2101M16-T3-A
1712-NESG2101M16-T3-A
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RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
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NESG2101M16-T3-A详情
NEC ELECTRONICS AMERICA INC NESG2101M16-T3-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
硅锗
Number of Elements
1
附加功能
低噪音
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
JESD-30代码
R-PDSO-F6
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
转换频率
17000MHz
集电极电流-最大值(IC)
0.1A
集电极-发射器电压-最大值
5V
最高频段
L B
集电极-基极电容-最大值
0.5pF
NESG2101M16-T3-A拓展信息







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