NEC ELECTRONICS CORP 2SJ196-AZ
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2SJ196-AZ
1712-2SJ196-AZ
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2SJ196-AZ详情
NEC ELECTRONICS CORP 2SJ196-AZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
ECCN 代码
EAR99
附加功能
闸门保护
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1A
漏极-源极导通最大电阻
1.5Ohm
DS 击穿电压-最小值
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
2SJ196-AZ拓展信息







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