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NEC Electronics Group 2SK2513

Name: 2SK2513
Brand: NEC Electronics Group
SKU: 1712-2SK2513
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

2SK2513

品牌

NEC Electronics Group

utmel 编号

1712-2SK2513

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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2SK2513 NEC Electronics Group Description: Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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2SK2513详情

技术参数

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NEC Electronics Group 2SK2513重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

NEC ELECTRONICS CORP
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Drain Current-Max (ID)

45 A
Number of Elements

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡铅
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻

0.023 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180 A
DS 击穿电压-最小值

60 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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