NEC Electronics Group FA1F4M
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FA1F4M
1712-FA1F4M
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOLD PACKAGE-3
1最小包装量--
FA1F4M详情
NEC Electronics Group FA1F4M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NEC ELECTRONICS CORP
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
6000 ns
Turn-on Time-Max (ton)
400 ns
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
90
集电极-发射器电压-最大值
50 V
FA1F4M拓展信息
NEC Electronics Group
NEC Electronics America Inc
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