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NEC Electronics Group NE5520279A-T1

Name: NE5520279A-T1
Brand: NEC Electronics Group
SKU: 1712-NE5520279A-T1
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NE5520279A-T1

品牌

NEC Electronics Group

utmel 编号

1712-NE5520279A-T1

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN

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NE5520279A-T1 NEC Electronics Group Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN

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NE5520279A-T1详情

技术参数

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NEC Electronics Group NE5520279A-T1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

4
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

NEC ELECTRONICS CORP
Package Description

MICROWAVE, R-XQMW-F4
Drain Current-Max (ID)

1 A
Number of Elements

1
Package Body Material

UNSPECIFIED
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

MICROWAVE
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡铅
端子位置

QUAD
终端形式

FLAT
Reach合规守则

compliant
引脚数量

4
JESD-30代码

R-XQMW-F4
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

SOURCE
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值

6 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段

L带

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NE5520279A-T1拓展信息

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